度成度规c)扫描光电显微镜(SPCM)的原理图。划全b)在SiO2/Si基底上的三角形Ga2In4S9晶体的光学图像。披露三元2DGa2In4S9优异的光电子行为主要归因于相对较长的载流子寿命以及薄片结晶度高所致的少数载流子扩散长度较长。
d)典型的光电流衰减长度(蓝色圆圈),速览季季红线为单指数拟合。【小结】综上所述,发电作者通过液态合金辅助CVD技术获得了高结晶度超薄Ga2In4S9薄片。
集团绩d-f)Ga2In4S9薄片的EDX元素映射。
最近,度成度规具有可调金属元素的共晶镓熔体可用于制备原子级薄金属氧化物或硒化物,为生长上述三元半导体提供了有前景的方法。长按Home键进入多任务管理界面可轻松在应用间切换,划全应用在获焦状态下按菜单键可快速对应用进行管理:卸载、清理缓存。
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